Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / BSL716SNH6327XTSA1
Herstellerteilenummer | BSL716SNH6327XTSA1 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-BSL716SNH6327XTSA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | OptiMOS™ |
BSL716SNH6327XTSA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 75V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 2.5A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150 mOhm @ 2.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.8V @ 218µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 13.1nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 315pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2W (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-TSOP-6-6 |
Paket / fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSL716SNH6327XTSA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BSL716SNH6327XTSA1-FT |
SI2303CDS-T1-E3
Vishay Siliconix
SI2303CDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI2305ADS-T1-E3
Vishay Siliconix
SI2305ADS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI2305CDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI2305DS-T1-E3
Vishay Siliconix
SI2306BDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI2308CDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI2308DS-T1-E3
Vishay Siliconix
SI2309DS-T1-E3
Vishay Siliconix
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C10F256I7
Intel
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP2AGX65CU17C4
Intel