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Rohm Semiconductor BSM180C12P2E202

MFG-Teilenummer
BSM180C12P2E202
verfügbare Anzahl
54070 Stücke
Referenzpreis
USD 453.6
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Rohm Semiconductor
Kurze Beschreibung
- BSM180C12P2E202 IS A SIC SILICO
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
BSM180C12P2E202.pdf
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BSM180C12P2E202 Spezifikationen

Herstellerteilenummer BSM180C12P2E202
Zukünftige Teilenummer FT-BSM180C12P2E202
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
BSM180C12P2E202 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 204A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 35.2mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs -
Vgs (Max) +22V, -6V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 20000pF @ 10V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1360W (Tc)
Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Supplier Device Package Module
Paket / fall Module
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSM180C12P2E202 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer BSM180C12P2E202-FT

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