Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / BSN20BKR
Herstellerteilenummer | BSN20BKR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BSN20BKR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BSN20BKR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 265mA (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8 Ohm @ 200mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 0.49nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 20.2pF @ 30V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 310mW (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | TO-236AB |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSN20BKR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BSN20BKR-FT |
BUK964R7-80E,118
Nexperia USA Inc.
BUK966R5-60E,118
Nexperia USA Inc.
BUK968R3-40E,118
NXP USA Inc.
BUK969R3-100E,118
Nexperia USA Inc.
PHB101NQ04T,118
NXP USA Inc.
PHB108NQ03LT,118
NXP USA Inc.
PHB110NQ06LT,118
NXP USA Inc.
PHB110NQ08LT,118
NXP USA Inc.
PHB110NQ08T,118
Nexperia USA Inc.
PHB112N06T,118
NXP USA Inc.
XC6SLX150-3FG676I
Xilinx Inc.
XC3S1400A-5FG484C
Xilinx Inc.
AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LAXP2-8E-5FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-5SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-3PL68I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I2
Intel
5SGXEBBR2H43I3L
Intel
LFEC10E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10QC208-3N
Intel