Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / BSP316PH6327XTSA1
Herstellerteilenummer | BSP316PH6327XTSA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BSP316PH6327XTSA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | SIPMOS® |
BSP316PH6327XTSA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 680mA (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8 Ohm @ 680mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 170µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 6.4nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 146pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 1.8W (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-SOT223-4 |
Paket / fall | TO-261-4, TO-261AA |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSP316PH6327XTSA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BSP316PH6327XTSA1-FT |
IPU60R1K5CEBKMA1
Infineon Technologies
IPU60R2K0C6AKMA1
Infineon Technologies
IPU60R2K0C6BKMA1
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IPU60R2K1CEBKMA1
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IPU60R600C6AKMA1
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IPU60R950C6AKMA1
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IPU60R950C6BKMA1
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IPU64CN10N G
Infineon Technologies
IPU78CN10N G
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IPU80R1K0CEAKMA1
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A3PE600-1PQG208I
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5SGSED8K3F40I4N
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5SGXEB5R1F40I2N
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5SGXMA3K3F40C2N
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LFE3-70EA-8LFN672I
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10AX115U2F45I2SGE2
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