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Infineon Technologies IPU80R1K0CEAKMA1

MFG-Teilenummer
IPU80R1K0CEAKMA1
verfügbare Anzahl
32630 Stücke
Referenzpreis
USD 0.580536
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
CoolMOS™ CE MOSFET N-CH 800V 5.7A TO251
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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IPU80R1K0CEAKMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer IPU80R1K0CEAKMA1
Zukünftige Teilenummer FT-IPU80R1K0CEAKMA1
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie CoolMOS™ CE
IPU80R1K0CEAKMA1 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 5.7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 950 mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 31nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 785pF @ 100V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 83W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Supplier Device Package PG-TO251-3-341
Paket / fall TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPU80R1K0CEAKMA1 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer IPU80R1K0CEAKMA1-FT

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