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Infineon Technologies BSP603S2LHUMA1

MFG-Teilenummer
BSP603S2LHUMA1
verfügbare Anzahl
86150 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
OptiMOS™ MOSFET N-CH 55V 5.2A SOT-223
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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BSP603S2LHUMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer BSP603S2LHUMA1
Zukünftige Teilenummer FT-BSP603S2LHUMA1
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie OptiMOS™
BSP603S2LHUMA1 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 5.2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 33 mOhm @ 2.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 50µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 42nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1390pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.8W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package PG-SOT223-4
Paket / fall TO-261-4, TO-261AA
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSP603S2LHUMA1 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer BSP603S2LHUMA1-FT

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