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Infineon Technologies BSP299H6327XUSA1

Name: BSP299H6327XUSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSP299H6327XUSA1
Price: 0.533608 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (69 reviews)

MFG-Teilenummer: BSP299H6327XUSA1

verfügbare Anzahl: 94250 Stücke

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: SIPMOS® MOSFET N-CH 500V 0.4A SOT-223

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: BSP299H6327XUSA1.pdf

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BSP299H6327XUSA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	BSP299H6327XUSA1
Zukünftige Teilenummer	FT-BSP299H6327XUSA1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	SIPMOS®
BSP299H6327XUSA1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Not For New Designs
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	500V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	400mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4 Ohm @ 400mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	400pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	1.8W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	PG-SOT223-4
Paket / fall	TO-261-4, TO-261AA
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSP299H6327XUSA1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	BSP299H6327XUSA1-FT

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