Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / BSS123E6327
Herstellerteilenummer | BSS123E6327 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BSS123E6327 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | SIPMOS® |
BSS123E6327 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 170mA (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 Ohm @ 170mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.8V @ 50µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 2.67nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 69pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 360mW (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | SOT-23-3 |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSS123E6327 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BSS123E6327-FT |
BSS138NH6433XTMA1
Infineon Technologies
BSS84PH6433XTMA1
Infineon Technologies
2N7002-T1-E3
Vishay Siliconix
2N7002E-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI2302DDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI2306BDS-T1-E3
Vishay Siliconix
SI2314EDS-T1-E3
Vishay Siliconix
SI2315BDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3400A-TP
Micro Commercial Co
2N7002-T1-GE3
Vishay Siliconix
AT6010ALV-4AC
Microchip Technology
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
XC4005XL-3VQ100I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EFC484-2XN
Intel
5SGXEA5K3F40I3LN
Intel
EP4CE6E22C8N
Intel
LFEC6E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3H2F35I3LN
Intel