Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / 2N7002-T1-GE3
Herstellerteilenummer | 2N7002-T1-GE3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-2N7002-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
2N7002-T1-GE3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 115mA (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 200mW (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | TO-236 |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N7002-T1-GE3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 2N7002-T1-GE3-FT |
SI2319DS-T1-E3
Vishay Siliconix
SI2365EDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
BSS214NH6327XTSA1
Infineon Technologies
SI2312BDS-T1-E3
Vishay Siliconix
NDS331N
ON Semiconductor
FDV302P
ON Semiconductor
NDS355AN
ON Semiconductor
2N7002E-T1-E3
Vishay Siliconix
FDN340P
ON Semiconductor
FDV303N
ON Semiconductor
XCVU080-2FFVD1517E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N2F40C2LN
Intel
5SGXMA7N3F45I3LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2L
Intel
XC2VP7-7FF672C
Xilinx Inc.
XC7A12T-1CPG238C
Xilinx Inc.
XC7S25-2CSGA324I
Xilinx Inc.
LFE2M50SE-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation