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Infineon Technologies BSS225L6327HTSA1

Name: BSS225L6327HTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSS225L6327HTSA1
Availability: InStock
Rating: 4.9 (750 reviews)

MFG-Teilenummer: BSS225L6327HTSA1

verfügbare Anzahl: 76380 Stücke

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: SIPMOS® MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: BSS225L6327HTSA1.pdf

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BSS225L6327HTSA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	BSS225L6327HTSA1
Zukünftige Teilenummer	FT-BSS225L6327HTSA1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	SIPMOS®
BSS225L6327HTSA1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	90mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	45 Ohm @ 90mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.3V @ 94µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	5.8nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	131pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	1W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	PG-SOT89
Paket / fall	TO-243AA
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSS225L6327HTSA1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	BSS225L6327HTSA1-FT

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