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Infineon Technologies IPI90R1K2C3XKSA1

Name: IPI90R1K2C3XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPI90R1K2C3XKSA1
Price: 0.81928 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (637 reviews)

MFG-Teilenummer: IPI90R1K2C3XKSA1

verfügbare Anzahl: 74300 Stücke

Referenzpreis: USD 0.81928

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: CoolMOS™ MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-262

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IPI90R1K2C3XKSA1.pdf

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IPI90R1K2C3XKSA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IPI90R1K2C3XKSA1
Zukünftige Teilenummer	FT-IPI90R1K2C3XKSA1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	CoolMOS™
IPI90R1K2C3XKSA1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	900V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	5.1A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2 Ohm @ 2.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 310µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	28nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	710pF @ 100V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	83W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	PG-TO262-3
Paket / fall	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPI90R1K2C3XKSA1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IPI90R1K2C3XKSA1-FT

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