Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / BSZ065N03LSATMA1
Herstellerteilenummer | BSZ065N03LSATMA1 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-BSZ065N03LSATMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | OptiMOS™ |
BSZ065N03LSATMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 12A (Ta), 40A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 670pF @ 15V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2.1W (Ta), 26W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-TSDSON-8-FL |
Paket / fall | 8-PowerTDFN |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSZ065N03LSATMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BSZ065N03LSATMA1-FT |
IPA65R400CEXKSA1
Infineon Technologies
IPA70R360P7SXKSA1
Infineon Technologies
IPA80R1K0CEXKSA1
Infineon Technologies
IPA80R1K4CEXKSA1
Infineon Technologies
IPA80R310CEXKSA1
Infineon Technologies
IPA80R310CEXKSA2
Infineon Technologies
IPA80R360P7XKSA1
Infineon Technologies
IPA80R460CEXKSA1
Infineon Technologies
IPA80R600P7XKSA1
Infineon Technologies
IPA80R650CEXKSA1
Infineon Technologies
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AFS600-2FG256I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F40I3N
Intel
XCS05-3PC84C
Xilinx Inc.
XC2V4000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
AGL600V5-FGG144
Microsemi Corporation
EP3SL150F780C4LN
Intel
EPF10K30RC240-4N
Intel
EP1S60F1020C5N
Intel