Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / BSZ900N15NS3GATMA1
Herstellerteilenummer | BSZ900N15NS3GATMA1 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-BSZ900N15NS3GATMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | OptiMOS™ |
BSZ900N15NS3GATMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 150V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 13A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 8V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 20µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 510pF @ 75V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 38W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-TSDSON-8 |
Paket / fall | 8-PowerTDFN |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSZ900N15NS3GATMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BSZ900N15NS3GATMA1-FT |
BSC0501NSIATMA1
Infineon Technologies
BSC0502NSIATMA1
Infineon Technologies
BSC0503NSIATMA1
Infineon Technologies
BSC0504NSIATMA1
Infineon Technologies
BSC050N03MSGATMA1
Infineon Technologies
BSC052N03S G
Infineon Technologies
BSC052N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
BSC054N04NSGATMA1
Infineon Technologies
BSC057N03LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC057N03MSGATMA1
Infineon Technologies
A3P030-2QNG68I
Microsemi Corporation
A1425A-1PQ100I
Microsemi Corporation
XC4052XL-09HQ304C
Xilinx Inc.
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
EP3CLS100F484C7
Intel
EP2AGX125DF25C4N
Intel
EP2AGX65DF25C5
Intel
5CEBA5U19C8N
Intel
EP1C20F324I7N
Intel