Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / BUK751R8-40E,127
Herstellerteilenummer | BUK751R8-40E,127 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BUK751R8-40E,127 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
BUK751R8-40E,127 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 120A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 145nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 11340pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 349W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Paket / fall | TO-220-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK751R8-40E,127 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BUK751R8-40E,127-FT |
PSMN4R4-30MLC,115
Nexperia USA Inc.
PSMN5R3-25MLDX
Nexperia USA Inc.
PSMN6R1-25MLDX
Nexperia USA Inc.
PSMN6R4-30MLDX
Nexperia USA Inc.
PSMN6R5-30MLDX
Nexperia USA Inc.
PSMN7R5-30MLDX
Nexperia USA Inc.
PSMN9R0-25MLC,115
Nexperia USA Inc.
PSMN9R8-30MLC,115
Nexperia USA Inc.
PMPB23XNEZ
Nexperia USA Inc.
PMPB12UN,115
NXP USA Inc.
AT6010ALV-4AC
Microchip Technology
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
XC4005XL-3VQ100I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EFC484-2XN
Intel
5SGXEA5K3F40I3LN
Intel
EP4CE6E22C8N
Intel
LFEC6E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3H2F35I3LN
Intel