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NXP USA Inc. PMPB12UN,115
- MFG-Teilenummer
- PMPB12UN,115
- verfügbare Anzahl
- 49390 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- NXP USA Inc.
- Kurze Beschreibung
- - MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- PMPB12UN,115.pdf
PMPB12UN,115 Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | PMPB12UN,115 |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-PMPB12UN,115 |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | - |
| PMPB12UN,115 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Obsolete |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 7.9A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 7.9A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 886pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Supplier Device Package | 6-DFN2020MD (2x2) |
| Paket / fall | 6-UDFN Exposed Pad |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| PMPB12UN,115 Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | PMPB12UN,115-FT |
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