Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / BUK965R8-100E,118
Herstellerteilenummer | BUK965R8-100E,118 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-BUK965R8-100E,118 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
BUK965R8-100E,118 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 120A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.8 mOhm @ 25A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 133nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 17460pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 357W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | D2PAK |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK965R8-100E,118 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BUK965R8-100E,118-FT |
PHT11N06LT,135
NXP USA Inc.
PHT2NQ10T,135
NXP USA Inc.
PHT6N06LT,135
NXP USA Inc.
PHT6N06T,135
NXP USA Inc.
PHT8N06LT,135
NXP USA Inc.
BSS192,115
Nexperia USA Inc.
BSS192,135
Nexperia USA Inc.
BSS87,115
Nexperia USA Inc.
PSMN1R3-30YL,115
Nexperia USA Inc.
BUK9635-55A,118
Nexperia USA Inc.
XC3S200-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC4020XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
10M40DCF256C7G
Intel
5SGSED8K2F40I2N
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX40GF1020I6
Intel