Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / BUK9E06-55A,127
Herstellerteilenummer | BUK9E06-55A,127 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BUK9E06-55A,127 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
BUK9E06-55A,127 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 55V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 75A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.8 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±15V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 8600pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 300W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | I2PAK |
Paket / fall | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK9E06-55A,127 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BUK9E06-55A,127-FT |
PHX8NQ11T,127
NXP USA Inc.
PHX9NQ20T,127
NXP USA Inc.
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NXP USA Inc.
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NXP USA Inc.
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PSMN5R6-100XS,127
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NXP USA Inc.
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NXP USA Inc.
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Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
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Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
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Intel
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