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NXP USA Inc. BUK9E1R6-30E,127

Name: BUK9E1R6-30E,127
Brand: NXP USA Inc.
SKU: BUK9E1R6-30E,127
Availability: InStock
Rating: 4.8 (189 reviews)

MFG-Teilenummer: BUK9E1R6-30E,127

verfügbare Anzahl: 35310 Stücke

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Hersteller: NXP USA Inc.

Kurze Beschreibung: TrenchMOS™ MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: BUK9E1R6-30E,127.pdf

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BUK9E1R6-30E,127 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	BUK9E1R6-30E,127
Zukünftige Teilenummer	FT-BUK9E1R6-30E,127
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	TrenchMOS™
BUK9E1R6-30E,127 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	120A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.1V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	113nC @ 5V
Vgs (Max)	±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	16150pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	349W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	I2PAK
Paket / fall	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BUK9E1R6-30E,127 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	BUK9E1R6-30E,127-FT

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