Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / BUK9M17-30EX
Herstellerteilenummer | BUK9M17-30EX |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BUK9M17-30EX |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
BUK9M17-30EX Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 37A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 8nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 725pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 44W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | LFPAK33 |
Paket / fall | SOT-1210, 8-LFPAK33 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK9M17-30EX Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BUK9M17-30EX-FT |
RDN120N25
Rohm Semiconductor
RDN120N25FU6
Rohm Semiconductor
RDN150N20FU6
Rohm Semiconductor
UPA2766T1A-E2-AY
Renesas Electronics America
UPA2812T1L-E1-AT
Renesas Electronics America
UPA2813T1L-E1-AT
Renesas Electronics America
RJK2009DPM-00#T0
Renesas Electronics America
RJK5015DPM-00#T1
Renesas Electronics America
RJK6015DPM-00#T1
Renesas Electronics America
RJK6018DPM-00#T1
Renesas Electronics America
XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
M2GL050-VFG400I
Microsemi Corporation
5SGSMD4K2F40I3LN
Intel
5SGXMABN2F45I3N
Intel
5SGXMB6R2F43C3N
Intel
EP3SE260F1152I4N
Intel
LFEC1E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation