Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / BUK9Y3R0-40E,115
Herstellerteilenummer | BUK9Y3R0-40E,115 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BUK9Y3R0-40E,115 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
BUK9Y3R0-40E,115 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 100A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 35.5nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5962pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 194W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | LFPAK56, Power-SO8 |
Paket / fall | SC-100, SOT-669 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK9Y3R0-40E,115 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BUK9Y3R0-40E,115-FT |
BUK9Y11-30B,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y12-100E,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y14-40B,115
Nexperia USA Inc.
PSMN012-60YS,115
Nexperia USA Inc.
PSMN2R5-30YL,115
Nexperia USA Inc.
PSMN3R5-30YL,115
Nexperia USA Inc.
PSMN9R5-30YLC,115
Nexperia USA Inc.
BUK7Y59-60EX
Nexperia USA Inc.
BUK7Y9R9-80EX
Nexperia USA Inc.
PSMN2R0-25YLDX
Nexperia USA Inc.
XC3S200-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC4020XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
10M40DCF256C7G
Intel
5SGSED8K2F40I2N
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX40GF1020I6
Intel