Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / BYG10J-E3/TR3
Herstellerteilenummer | BYG10J-E3/TR3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BYG10J-E3/TR3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BYG10J-E3/TR3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Avalanche |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 600V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1.5A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 1.5A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 4µs |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 1µA @ 600V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-214AC, SMA |
Supplier Device Package | DO-214AC (SMA) |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYG10J-E3/TR3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BYG10J-E3/TR3-FT |
CS1G-E3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS15-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1H9-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
CS1D-E3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS14-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1GHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG22B-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1GHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSA210-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS13-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4010XL-1TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-N3FG900C
Xilinx Inc.
A3P250-1VQG100I
Microsemi Corporation
A3PN250-Z1VQG100
Microsemi Corporation
EP4CGX50DF27C8N
Intel
5SGXEA5K3F35C2N
Intel
XC5VLX110T-2FF1136I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35I3N
Intel
EP2AGX45DF29C6N
Intel