Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / BYG10M-E3/TR3
Herstellerteilenummer | BYG10M-E3/TR3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BYG10M-E3/TR3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BYG10M-E3/TR3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Avalanche |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1000V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1.5A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 1.5A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 4µs |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 1µA @ 1000V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-214AC, SMA |
Supplier Device Package | DO-214AC (SMA) |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYG10M-E3/TR3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BYG10M-E3/TR3-FT |
US1GHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSA210-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS13-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS24S-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20D-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS10-35HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS10-45HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS10-45-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS10-45HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
CSA2M-E3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
EPF10K20TC144-3N
Intel
LFE2-20SE-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN250V5-ZCSG81
Microsemi Corporation
A42MX16-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-1VQ100
Microsemi Corporation
EP20K100EFC144-1
Intel
10AX032H4F35E3SG
Intel
XC7VX1140T-1FLG1926C
Xilinx Inc.
10AX090R1F40E1SG
Intel
EP3SL70F780C3
Intel