Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / BYS10-45HE3_A/I
Herstellerteilenummer | BYS10-45HE3_A/I |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BYS10-45HE3_A/I |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
BYS10-45HE3_A/I Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 45V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1.5A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | - |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 500µA @ 45V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-214AC, SMA |
Supplier Device Package | DO-214AC (SMA) |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYS10-45HE3_A/I Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BYS10-45HE3_A/I-FT |
VS-2EJH01-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-2EJH01HM3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-2EJH01HM3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-2EJH02-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-2EJH02-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-2EJH02HM3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-2EJH02HM3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-3EJH01-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-3EJH01-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-3EJH01HM3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel