Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / BYG10MHE3_A/I
Herstellerteilenummer | BYG10MHE3_A/I |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BYG10MHE3_A/I |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
BYG10MHE3_A/I Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Avalanche |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1000V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1.5A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 1.5A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 4µs |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 1µA @ 1000V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-214AC, SMA |
Supplier Device Package | DO-214AC (SMA) |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYG10MHE3_A/I Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BYG10MHE3_A/I-FT |
APD240VG-E1
Diodes Incorporated
NGTD13R120F2WP
ON Semiconductor
S1MSP1-7
Diodes Incorporated
NGTD17R120F2WP
ON Semiconductor
CDBZC0130R-HF
Comchip Technology
CDBU43-HF
Comchip Technology
MBR2150VGTR-E1
Diodes Incorporated
FFSB1065B-F085
ON Semiconductor
RS1MSP1-7
Diodes Incorporated
FFSB20120A-F085
ON Semiconductor
XC7S100-1FGGA484C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FG256
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003-2AI
Microchip Technology
EP1S20F484I6N
Intel
XC2VP40-6FFG1152C
Xilinx Inc.
AT6003-2JC
Microchip Technology
10AX115S2F45I2LG
Intel
EPF10K100ABC356-3
Intel
EP1C12F324C6
Intel