Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / BYG20G-M3/TR3
Herstellerteilenummer | BYG20G-M3/TR3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BYG20G-M3/TR3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
BYG20G-M3/TR3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Avalanche |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 400V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1.5A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.4V @ 1.5A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 75ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 1µA @ 400V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-214AC, SMA |
Supplier Device Package | DO-214AC (SMA) |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYG20G-M3/TR3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BYG20G-M3/TR3-FT |
CSA2M-E3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES1D-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1G-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1JHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS14-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1H10HE3_B/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS24S-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SSA34-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1G-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1J-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
10M16DAF256I7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel