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Herstellerteilenummer | BYM36A-TAP |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BYM36A-TAP |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BYM36A-TAP Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Avalanche |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 200V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 3A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.6V @ 3A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 100ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 200V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | SOD-64, Axial |
Supplier Device Package | SOD-64 |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 175°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYM36A-TAP Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BYM36A-TAP-FT |
LL4150GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAQ34-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS82-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LL43-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAQ33-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV102-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
CDSL4148-G
Comchip Technology
BA604-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BA604-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAQ33-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCS40XL-5PQG208C
Xilinx Inc.
XC7A15T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE3000-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-1VQ100M
Microsemi Corporation
5SGSMD4K3F40I3N
Intel
5SGSED6N2F45C2N
Intel
EP2SGX90EF1152C3ES
Intel
LFE2M100SE-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB7D4F35C4N
Intel