Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Arrays / BYQ28E-200HE3/45
Herstellerteilenummer | BYQ28E-200HE3/45 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BYQ28E-200HE3/45 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BYQ28E-200HE3/45 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 200V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 5A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 5A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 25ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 200V |
Betriebstemperatur - Übergang | -40°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-220-3 |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYQ28E-200HE3/45 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BYQ28E-200HE3/45-FT |
VS-MBR2035CT-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR2035CTHN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR2045CT-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR2045CTHN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR2080CT-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR2090CT-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR2535CT-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR2545CT-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR3045CT-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR4045CT-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
5SGSMD6N3F45C2N
Intel
5SGXEA5H1F35C1N
Intel
A54SX08A-1TQ100
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQ160
Microsemi Corporation
LFE2-50SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX65CU17C4
Intel
5CGXBC3B6U15C7N
Intel
EPF10K30RI208-4
Intel
EP20K160EQC208-1X
Intel
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Intel