Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / VS-2EJH02-M3/6B
Herstellerteilenummer | VS-2EJH02-M3/6B |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-VS-2EJH02-M3/6B |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | FRED Pt® |
VS-2EJH02-M3/6B Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 200V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 2A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 930mV @ 2A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 25ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 2µA @ 200V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-221AC, SMA Flat Leads |
Supplier Device Package | DO-221AC (SlimSMA) |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 175°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-2EJH02-M3/6B Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | VS-2EJH02-M3/6B-FT |
VF30100SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF10150S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF10150S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF20100S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF20100SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF20100SG-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF20120S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF20120S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF20120SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF20120SG-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
AFS250-FGG256
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
Intel
10AX057K3F35E2LG
Intel
EP1S40F780I6
Intel
EP1SGX40GF1020C6
Intel