Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / BYS11-90-E3/TR
Herstellerteilenummer | BYS11-90-E3/TR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BYS11-90-E3/TR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BYS11-90-E3/TR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 90V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1.5A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 750mV @ 1A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 100µA @ 90V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-214AC, SMA |
Supplier Device Package | DO-214AC (SMA) |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYS11-90-E3/TR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BYS11-90-E3/TR-FT |
BYG10D-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10D-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10G-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10G-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10G-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10J-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10J-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10J-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10K-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10K-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel