Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / BYS12-90HE3_A/H
Herstellerteilenummer | BYS12-90HE3_A/H |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-BYS12-90HE3_A/H |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q100 |
BYS12-90HE3_A/H Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 90V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1.5A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 750mV @ 1A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 100µA @ 90V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-214AC, SMA |
Supplier Device Package | DO-214AC (SMA) |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYS12-90HE3_A/H Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BYS12-90HE3_A/H-FT |
APD260VDTR-E1
Diodes Incorporated
B0540WS-TP
Micro Commercial Co
B5817W-TP
Micro Commercial Co
BAT1502LSE6433XTMA1
Infineon Technologies
BAT2402ELSE6327XTSA1
Infineon Technologies
CD123D-B120R
Bourns Inc.
CD214C-F3150
Bourns Inc.
CMS10I30A(TE12L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
CMS10I40A(TE12L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
CMS20I40A(TE12L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
XCV1000E-6FG900I
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4SGX290NF45C2
Intel
5SGXEB6R2F43I2LN
Intel
5SGSMD5H3F35C2N
Intel
LFE2M50SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CB652C7
Intel
5SGSMD3H2F35I2LN
Intel