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Herstellerteilenummer | BYV26E-TAP |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BYV26E-TAP |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BYV26E-TAP Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Avalanche |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1000V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 2.5V @ 1A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 75ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 1000V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | SOD-57, Axial |
Supplier Device Package | SOD-57 |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 175°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYV26E-TAP Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BYV26E-TAP-FT |
BYV28-600-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYW178-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYW82-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYW86-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BY228TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYW86TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYV28-150-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N5417-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N5417TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N5418-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
EPF10K20TC144-3N
Intel
LFE2-20SE-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN250V5-ZCSG81
Microsemi Corporation
A42MX16-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-1VQ100
Microsemi Corporation
EP20K100EFC144-1
Intel
10AX032H4F35E3SG
Intel
XC7VX1140T-1FLG1926C
Xilinx Inc.
10AX090R1F40E1SG
Intel
EP3SL70F780C3
Intel