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Herstellerteilenummer | BYV32EB-200PQ |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BYV32EB-200PQ |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BYV32EB-200PQ Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 200V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 20A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 20A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 25ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 200V |
Betriebstemperatur - Übergang | 150°C (Max) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Supplier Device Package | D2PAK |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYV32EB-200PQ Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BYV32EB-200PQ-FT |
HN1D02F(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2D01FTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1D03FTE85LF
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NSVBAS21TMR6T2G
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BAS21TMR6T1G
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BAS16UE6327HTSA1
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BAS21AVD,135
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MPF300TL-FCG484I
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10AX027E3F27I2LG
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XCKU5P-L1SFVB784I
Xilinx Inc.
LFE2M35E-6FN484C
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EP20K1500EBC652-1
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EP20K200CB356C7
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