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Herstellerteilenummer | BYV415W-600PQ |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BYV415W-600PQ |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BYV415W-600PQ Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 600V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 15A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 2.1V @ 15A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 45ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 600V |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 175°C |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-247-3 |
Supplier Device Package | TO-247-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYV415W-600PQ Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BYV415W-600PQ-FT |
NTSB20120CTT4G
ON Semiconductor
MURHB840CTG
ON Semiconductor
MBRB2535CTLG
ON Semiconductor
NTSB20100CTG
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SBRB2545CTG
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NTSB30120CTG
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MBRB3030CTLG
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NTSB20100CTT4G
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NTSB40100CTG
ON Semiconductor
MURHB860CTT4G
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XC4013XL-1HT144I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3FTG256C
Xilinx Inc.
XCKU040-L1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC2V1000-4FGG456C
Xilinx Inc.
A54SX72A-CQ208B
Microsemi Corporation
AGLN250V2-ZVQG100
Microsemi Corporation
EP4CE15F23I8LN
Intel
5SGXEA5N2F40I3N
Intel
A40MX04-PLG84I
Microsemi Corporation
EP1S30B956C7
Intel