Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Zener - Single / BZD27B6V2P-M3-18
Herstellerteilenummer | BZD27B6V2P-M3-18 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BZD27B6V2P-M3-18 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101, BZD27B-M |
BZD27B6V2P-M3-18 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Spannung - Zener (Nom) (Vz) | 6.2V |
Toleranz | - |
Leistung max | 800mW |
Impedanz (max.) (Zzt) | 3 Ohms |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 2V |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 175°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-219AB |
Supplier Device Package | DO-219AB (SMF) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27B6V2P-M3-18 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BZD27B6V2P-M3-18-FT |
BZD27B27P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B27P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B27P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B27P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B27P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B30P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B30P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B30P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B30P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B30P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2280E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX72A-1FGG256I
Microsemi Corporation
MPF300T-FCVG484I
Microsemi Corporation
EPF6016ATI100-2N
Intel
10AX016C3U19I2SG
Intel
XC5VLX85-1FF1153I
Xilinx Inc.
AGL400V2-CS196
Microsemi Corporation
LFE2M100SE-5FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35SE-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780I3N
Intel