Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Zener - Single / BZD27C10P-M3-18
Herstellerteilenummer | BZD27C10P-M3-18 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BZD27C10P-M3-18 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101, BZD27C-M |
BZD27C10P-M3-18 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Spannung - Zener (Nom) (Vz) | 10V |
Toleranz | - |
Leistung max | 800mW |
Impedanz (max.) (Zzt) | 4 Ohms |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 7µA @ 7.5V |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 175°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-219AB |
Supplier Device Package | DO-219AB (SMF) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27C10P-M3-18 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BZD27C10P-M3-18-FT |
BZD27B4V3P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B4V3P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B4V3P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B4V3P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B4V7P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B4V7P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B4V7P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B4V7P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B4V7P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B51P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFE5U-45F-7BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE6E22C9LN
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7VX485T-2FF1157I
Xilinx Inc.
A54SX08A-2TQ100I
Microsemi Corporation
A3P600-2FGG144
Microsemi Corporation
LFE2M20E-5F256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40I2LG
Intel
10AX115U3F45I2SGE2
Intel
EP20K400ERC240-1
Intel