Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Zener - Single / BZD27C12P-M3-08
Herstellerteilenummer | BZD27C12P-M3-08 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BZD27C12P-M3-08 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101, BZD27C-M |
BZD27C12P-M3-08 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Spannung - Zener (Nom) (Vz) | 12V |
Toleranz | - |
Leistung max | 800mW |
Impedanz (max.) (Zzt) | 7 Ohms |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 3µA @ 9.1V |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 175°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-219AB |
Supplier Device Package | DO-219AB (SMF) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27C12P-M3-08 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BZD27C12P-M3-08-FT |
BZD27B56P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B56P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B56P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B56P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B56P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B5V1P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B5V1P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B5V1P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B5V1P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B5V1P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
EPF6024ATC144-2
Intel
LCMXO2280E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX25-2FTG256C
Xilinx Inc.
M1A3PE1500-PQ208
Microsemi Corporation
XC5VLX110-2FFG1153C
Xilinx Inc.
XC7A12T-1CPG236C
Xilinx Inc.
EP2AGX95EF35C5ES
Intel
10CX085YF672I5G
Intel
EPF10K30EQC208-1X
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel