Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Zener - Single / BZD27C51P-M-08
Herstellerteilenummer | BZD27C51P-M-08 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BZD27C51P-M-08 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101, BZD27C |
BZD27C51P-M-08 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Spannung - Zener (Nom) (Vz) | 51V |
Toleranz | - |
Leistung max | 800mW |
Impedanz (max.) (Zzt) | 60 Ohms |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 1µA @ 39V |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 175°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-219AB |
Supplier Device Package | DO-219AB (SMF) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27C51P-M-08 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BZD27C51P-M-08-FT |
BZD27C7V5P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C7V5P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C82P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C82P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C82P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C82P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C82P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C82P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C8V2P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C8V2P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-2000ZE-1TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
AGL1000V5-FGG484I
Microsemi Corporation
EP20K600EFI672-2X
Intel
EP4CGX150DF27C7
Intel
EP3SL200F1517I4L
Intel
EP4SGX360KF43C4
Intel
EP3SE110F1152C3
Intel
XC2VP30-5FFG896C
Xilinx Inc.
XC6SLX9-2CPG196C
Xilinx Inc.
HC20K600BC652AD
Intel