Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Zener - Single / BZT52C8V2-HE3-08
Herstellerteilenummer | BZT52C8V2-HE3-08 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BZT52C8V2-HE3-08 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
BZT52C8V2-HE3-08 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Spannung - Zener (Nom) (Vz) | 8.2V |
Toleranz | ±5% |
Leistung max | 410mW |
Impedanz (max.) (Zzt) | 4.5 Ohms |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 100nA @ 6V |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOD-123 |
Supplier Device Package | SOD-123 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZT52C8V2-HE3-08 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BZT52C8V2-HE3-08-FT |
BZT52C36-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C39-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C39-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C39-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C39-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C39-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C3V0-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C3V0-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C3V0-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C3V0-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S200A-5FG320C
Xilinx Inc.
APA600-CGS624M
Microsemi Corporation
A42MX24-PQG208M
Microsemi Corporation
A54SX16P-1VQ100M
Microsemi Corporation
AGLN060V2-ZVQ100
Microsemi Corporation
EP3C80F484C8N
Intel
EP4SGX230KF40C2N
Intel
5SGXEB5R3F40C2N
Intel
A40MX02-2PL44I
Microsemi Corporation
10AX066K2F40E2SG
Intel