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Herstellerteilenummer | CB2012T1R0MV |
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Zukünftige Teilenummer | FT-CB2012T1R0MV |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CB |
CB2012T1R0MV Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Ferrite |
Induktivität | 1µH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 700mA |
Strom - Sättigung | 500mA |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 195 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | 100MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 105°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 7.96MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 0805 (2012 Metric) |
Supplier Device Package | 0805 (2012 Metric) |
Größe / Abmessung | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.057" (1.45mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CB2012T1R0MV Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | CB2012T1R0MV-FT |
CBL2012T2R2M
Taiyo Yuden
CBL2012T470M
Taiyo Yuden
CBL2012T4R7M
Taiyo Yuden
CK21252R2M-T
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CKS21252R2M-T
Taiyo Yuden
HK212522NJ-T
Taiyo Yuden
HK212527NJ-T
Taiyo Yuden
HK21252N7S-T
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LK2125R12K-T
Taiyo Yuden
CB2012T100KRV
Taiyo Yuden
LCMXO2-2000HE-6TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
AFS250-FG256
Microsemi Corporation
A3PN060-VQG100
Microsemi Corporation
A42MX09-3VQG100
Microsemi Corporation
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Intel
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