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Herstellerteilenummer | CIGT201210UHR24MNE |
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Zukünftige Teilenummer | FT-CIGT201210UHR24MNE |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CIGT |
CIGT201210UHR24MNE Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Thin Film |
Material - Kern | Metal Composite |
Induktivität | 240nH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 4.4A |
Strom - Sättigung | 6.6A |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 22 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | - |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 1MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 0805 (2012 Metric) |
Supplier Device Package | 0805 (2012 Metric) |
Größe / Abmessung | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.039" (1.00mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGT201210UHR24MNE Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | CIGT201210UHR24MNE-FT |
CIGT252008LMR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252010LM1R5MNE
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CIGW252010EH4R7MNE
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CIGW252010GL1R5MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252010GL4R7MNE
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CIGW252010GLR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
EPF10K20TC144-4
Intel
LFEC3E-4TN144C
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M2GL010-1VF400
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEA5N1F40I2N
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQ160
Microsemi Corporation
LFE2-20E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF29C6ES
Intel