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Herstellerteilenummer | CIGW201610GLR47MLE |
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Zukünftige Teilenummer | FT-CIGW201610GLR47MLE |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CIGW |
CIGW201610GLR47MLE Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Metal Composite |
Induktivität | 470nH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 5.3A |
Strom - Sättigung | 5A |
Abschirmung | Shielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 26 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | - |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 1MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 0806 (2016 Metric) |
Supplier Device Package | 0806 (2016 Metric) |
Größe / Abmessung | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.039" (1.00mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGW201610GLR47MLE Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | CIGW201610GLR47MLE-FT |
CIG22H1R5MAE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22H1R5MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22H2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22H3R3MAE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22H3R3MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22HR33MAE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22HR47MAE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22HR56MAE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22L1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22L1R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
XC3S1200E-5FT256C
Xilinx Inc.
XC7A200T-1FBG676C
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ208
Microsemi Corporation
EP4CE6E22A7N
Intel
5SGXMA9N2F45I2LN
Intel
5SGXMA4K3F35I3LN
Intel
XA7A75T-1CSG324I
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N4F45E3LG
Intel
EPF10K30RI240-4N
Intel