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Herstellerteilenummer | CIL10Y8R2KNC |
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Zukünftige Teilenummer | FT-CIL10Y8R2KNC |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CIL10 |
CIL10Y8R2KNC Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | - |
Material - Kern | Ferrite |
Induktivität | 8.2µH |
Toleranz | ±10% |
Aktuelle Bewertung | 5mA |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Shielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 2.1 Ohm Max |
Q @ Freq | 35 @ 4MHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 18MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 4MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 0603 (1608 Metric) |
Supplier Device Package | 0603 (1608 Metric) |
Größe / Abmessung | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.037" (0.95mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIL10Y8R2KNC Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | CIL10Y8R2KNC-FT |
CIG21L1R5MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG21LR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201208EHR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG21W4R7MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG21L4R7MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201210UHR24MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG21L1R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG21C2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG21C4R7MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG21L1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
XC2S15-6TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-2CSG484I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FG256M
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F40C2
Intel
5SGSMD4E1H29C2LN
Intel
5SGSED6N3F45C2L
Intel
A1020B-PL44I
Microsemi Corporation
XC5VLX85-3FFG676C
Xilinx Inc.
XC7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation