Zuhause / Produkte / Isolatoren / Optoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang / CNY17F-4S1(TB)-V
Herstellerteilenummer | CNY17F-4S1(TB)-V |
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Zukünftige Teilenummer | FT-CNY17F-4S1(TB)-V |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
CNY17F-4S1(TB)-V Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Anzahl der Kanäle | 1 |
Spannung - Isolation | 5000Vrms |
Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min.) | 160% @ 10mA |
Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.) | 320% @ 10mA |
Ein- / Ausschaltzeit (Typ) | 10µs, 9µs |
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 6µs, 8µs |
Eingabetyp | DC |
Ausgabetyp | Transistor |
Spannung - Ausgang (max.) | 80V |
Strom - Ausgang / Kanal | - |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) | 1.65V (Max) |
Strom - DC Vorwärts (wenn) (max.) | 60mA |
Vce-Sättigung (max.) | 300mV |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 110°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 6-SMD, Gull Wing |
Supplier Device Package | 6-SMD |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CNY17F-4S1(TB)-V Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | CNY17F-4S1(TB)-V-FT |
4N33S(TB)
Everlight Electronics Co Ltd
4N33S(TB)-V
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4N33S1(TA)
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4N33S1(TA)-V
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4N33S1(TB)
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4N33S1(TB)-V
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4N35S(TA)
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4N35S(TA)-V
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4N35S(TB)
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4N35S(TB)-V
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LCMXO2-1200HC-5TG100IR1
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-6FN1152I
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M2GL005-1VFG400I
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A3PN060-2VQ100I
Microsemi Corporation
10AX048K2F35E2LG
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
M2GL050-FGG896
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD4H3F35I3N
Intel