Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / CSD22206W
Herstellerteilenummer | CSD22206W |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-CSD22206W |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
CSD22206W Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 8V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 5A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.7 mOhm @ 2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.05V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 14.6nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | -6V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2275pF @ 4V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 1.7W (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | 9-DSBGA (1.5x1.5) |
Paket / fall | 9-UFBGA, DSBGA |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CSD22206W Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | CSD22206W-FT |
TPH2010FNH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH2900ENH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH2R306NH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH2R506PL,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH2R608NH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH3300CNH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH3R704PL,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH4R50ANH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH5200FNH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH6R003NL,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage