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Toshiba Semiconductor and Storage TPH2R306NH,L1Q

Name: TPH2R306NH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPH2R306NH,L1Q
Price: 1.0192 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (597 reviews)

MFG-Teilenummer: TPH2R306NH,L1Q

verfügbare Anzahl: 34670 Stücke

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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung: U-MOSVIII-H MOSFET N CH 60V 60A SOP ADV

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: TPH2R306NH,L1Q.pdf

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TPH2R306NH,L1Q Spezifikationen

Herstellerteilenummer	TPH2R306NH,L1Q
Zukünftige Teilenummer	FT-TPH2R306NH,L1Q
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	U-MOSVIII-H
TPH2R306NH,L1Q Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	60A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	6.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.3 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	72nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	6100pF @ 30V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	1.6W (Ta), 78W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	8-SOP Advance (5x5)
Paket / fall	8-PowerVDFN
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPH2R306NH,L1Q Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	TPH2R306NH,L1Q-FT

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