Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays / CSD86330Q3D
Herstellerteilenummer | CSD86330Q3D |
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Zukünftige Teilenummer | FT-CSD86330Q3D |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | NexFET™ |
CSD86330Q3D Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET-Funktion | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 25V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 20A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.6 mOhm @ 14A, 8V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 6.2nC @ 4.5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 920pF @ 12.5V |
Leistung max | 6W |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 8-PowerLDFN |
Supplier Device Package | 8-LSON (3.3x3.3) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CSD86330Q3D Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | CSD86330Q3D-FT |
SI7904DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7905DN-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7905DN-T1-GE3
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