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Herstellerteilenummer | SI7909DN-T1-GE3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SI7909DN-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchFET® |
SI7909DN-T1-GE3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | 2 P-Channel (Dual) |
FET-Funktion | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 12V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 5.3A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 37 mOhm @ 7.7A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 700µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 4.5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Leistung max | 1.3W |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | PowerPAK® 1212-8 Dual |
Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 Dual |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI7909DN-T1-GE3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SI7909DN-T1-GE3-FT |
SI5513DC-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5513DC-T1-GE3
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SI5515CDC-T1-E3
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XC2V1000-5FG256C
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XC3S1400A-4FGG484I
Xilinx Inc.
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A54SX16A-FGG256I
Microsemi Corporation
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XC7K355T-2FF901I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-7FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-640ZE-2MG132C
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