Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / CTLDM8002A-M621H TR
Herstellerteilenummer | CTLDM8002A-M621H TR |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-CTLDM8002A-M621H TR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
CTLDM8002A-M621H TR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 50V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 280mA (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 0.72nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | 20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 70pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 1.6W (Ta) |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | TLM621H |
Paket / fall | 6-XFDFN Exposed Pad |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CTLDM8002A-M621H TR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | CTLDM8002A-M621H TR-FT |
BSC010N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
BSC012N06NSATMA1
Infineon Technologies
BSC020N03LSGATMA2
Infineon Technologies
BSC021N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
BSC022N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
BSC027N10NS5ATMA1
Infineon Technologies
BSC050N10NS5ATMA1
Infineon Technologies
BSC059N03ST
Infineon Technologies
BSC059N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
BSC065N06LS5ATMA1
Infineon Technologies