Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / CTLDM8120-M621H TR
Herstellerteilenummer | CTLDM8120-M621H TR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-CTLDM8120-M621H TR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
CTLDM8120-M621H TR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 950mA (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150 mOhm @ 950mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 3.56nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | 8V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 200pF @ 16V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 1.6W (Ta) |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | TLM621H |
Paket / fall | 6-XFDFN Exposed Pad |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CTLDM8120-M621H TR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | CTLDM8120-M621H TR-FT |
BSC020N03LSGATMA2
Infineon Technologies
BSC021N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
BSC022N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
BSC027N10NS5ATMA1
Infineon Technologies
BSC050N10NS5ATMA1
Infineon Technologies
BSC059N03ST
Infineon Technologies
BSC059N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
BSC065N06LS5ATMA1
Infineon Technologies
BSC0702LSATMA1
Infineon Technologies
BSC094N06LS5ATMA1
Infineon Technologies
XCV50-6TQ144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-256HC-4SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-45F-8BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V5-VQ100
Microsemi Corporation
EPF10K100ABC600-1
Intel
5SGXMA5K1F40C2LN
Intel
XC4013E-2HQ208I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672I
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CPG196C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FGG144I
Microsemi Corporation