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Herstellerteilenummer | CW201212-R18J |
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Zukünftige Teilenummer | FT-CW201212-R18J |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CW201212 |
CW201212-R18J Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Ceramic |
Induktivität | 180nH |
Toleranz | ±5% |
Aktuelle Bewertung | 350mA |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 850 mOhm |
Q @ Freq | 50 @ 250MHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 900MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 100MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 0805 (2012 Metric) |
Supplier Device Package | 0805 (2012 Metric) |
Größe / Abmessung | 0.083" L x 0.059" W (2.10mm x 1.50mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.059" (1.50mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CW201212-R18J Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | CW201212-R18J-FT |
RL110-470K-RC
Bourns Inc.
RL110-471K-RC
Bourns Inc.
RL110-681K-RC
Bourns Inc.
CW252016-R33J
Bourns Inc.
CW252016-R82J
Bourns Inc.
CW252016-1R0J
Bourns Inc.
CW252016-R15J
Bourns Inc.
CW252016-R27J
Bourns Inc.
CW252016-10NG
Bourns Inc.
CW252016-10NJ
Bourns Inc.
XA3SD1800A-4FGG676Q
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-2FG900C
Xilinx Inc.
XCVU080-3FFVD1517E
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG256
Microsemi Corporation
U1AFS600-FG256
Microsemi Corporation
APA600-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3C25F256C8
Intel
5SGXEA5H1F35C2L
Intel
XC2V3000-4BG728I
Xilinx Inc.
A42MX24-TQ176
Microsemi Corporation